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句容陶瓷電容型號(hào)

發(fā)布時(shí)間:2023-01-19 01:39:12
句容陶瓷電容型號(hào)

句容陶瓷電容型號(hào)

CL20/CBB20軸向金屬化膜電容器非感應(yīng)式結(jié)構(gòu),具有電性能優(yōu)良;可靠性好;耐高溫;體積??;容量大,高頻損耗??;過(guò)電流能力強(qiáng),適用于大電流;絕緣電阻高;自愈性好,壽命長(zhǎng);溫度特性穩(wěn)定,廣泛用于儀器;儀表及家用電器的交直流電路;變頻,分頻等交流,大脈沖電路,尤其是高保真要求的音響分頻器電路。CL19金屬化聚酯膜圓軸向電容器以金屬化聚酯膜作介質(zhì)和電極,用阻燃膠帶外包和環(huán)氧樹脂密封,具有電性能優(yōu)良;可靠性好;耐高溫;體積??;容量大及良好的自愈性能,產(chǎn)品適用于儀器;儀表及家用電器的交直流電路,廣泛用于音響系統(tǒng)分頻電路中。CBBX2金屬化聚丙烯膜搞干擾電容器采用金屬化鋅鋁聚丙烯膜作介質(zhì)和電極,用耐高溫阻燃塑殼;環(huán)氧樹脂封裝,單向引出結(jié)構(gòu),產(chǎn)品有較高抗外電干擾性能,可靠性高;損耗小及良好的自愈性,有較好的安全防護(hù)作用。

句容陶瓷電容型號(hào)

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與金屬箔式電容相比,也有如下兩項(xiàng)缺點(diǎn):一是容量穩(wěn)定性不如箔式電容器,這是由于金屬化電容在長(zhǎng)期工作條件易出現(xiàn)容量丟失以及自愈后均可導(dǎo)致容量減小,因此如在對(duì)容量穩(wěn)定度要求很高的振蕩電路使用,應(yīng)選用金屬箔式電容更好。另一主要缺點(diǎn)為耐受大電流能力較差,這是由于金屬化膜層比金屬箔要薄很多,承載大電流能力較弱。為改善金屬化薄膜電容器這一缺點(diǎn),在制造工藝上已有改進(jìn)的大電流金屬化薄膜電容產(chǎn)品,其主要改善途徑有:用雙面金屬化薄膜做電極;增加金屬化鍍層的厚度;端面金屬焊接工藝改良,降低接觸電阻。

句容陶瓷電容型號(hào)

句容陶瓷電容型號(hào)

薄膜電容中所使用的薄膜,對(duì)產(chǎn)品的性能有直接的影響。國(guó)內(nèi)做聚丙烯薄膜較好的廠家和國(guó)外的高品質(zhì)聚丙烯薄膜(如德國(guó)的施泰納、創(chuàng)斯普、法國(guó)的波洛萊和日本的東麗等)差距還是非常大的,特別是影響電容壽命、耐壓和高溫特性的PP薄膜結(jié)晶度,國(guó)內(nèi)廠家只能做到60%~65%,而國(guó)外的能夠達(dá)到75%~80%,并逐步在提高。這樣的話,如果用相同厚度的薄膜,相同的技術(shù)工藝做的產(chǎn)品,國(guó)外的高品質(zhì)薄膜回避國(guó)內(nèi)較好的膜做的產(chǎn)品壽命廠50%,耐壓高30%以上。除了需要提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品以外,對(duì)客戶需求快速的相應(yīng)能力,和良好的成本控制能力,是薄膜電容行業(yè)重要的競(jìng)爭(zhēng)壁壘。

句容陶瓷電容型號(hào)

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正確選用投(切)開關(guān),斷開并聯(lián)電容器時(shí),由于開關(guān)靜、動(dòng)觸頭間的電弧作用,將會(huì)引起操作過(guò)電壓產(chǎn)生,除了要求將投(切)開關(guān)的容量選得比并聯(lián)電容器組的容量大百分之35左右以外,還須是觸頭間絕緣恢復(fù)強(qiáng)度高,電弧重燃性小,滅弧性能好的斷路器。裝設(shè)熔斷器保護(hù),應(yīng)對(duì)每個(gè)單臺(tái)電容器設(shè)置熔斷器保護(hù),要求熔絲的額定電流不得大于被保護(hù)電容器額定電流的1.3倍,這樣可避免某臺(tái)電容器發(fā)生故障時(shí),因得不到及時(shí)切除而引起群爆事故的發(fā)生。對(duì)不正常運(yùn)行工況及時(shí)處理, 在運(yùn)行中發(fā)現(xiàn)并聯(lián)電容器出現(xiàn)鼓肚、接頭發(fā)熱、嚴(yán)重滲(漏)油等異常情況,須將其退出運(yùn)行。對(duì)已發(fā)生噴油、起火、爆炸等惡性事故,應(yīng)立即進(jìn)行停電檢查,查明事故原因進(jìn)行處理后,方可更換新電容器繼續(xù)運(yùn)行。

句容陶瓷電容型號(hào)

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1)旁路,旁路電容是為本地器件提供能量的儲(chǔ)能器件,它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化,降低負(fù)載需求。就像小型可充電電池一樣,旁路電容能夠被充電,并向器件進(jìn)行放電。為盡量減少阻抗,旁路電容要盡量靠近負(fù)載器件的供電電源管腳和地管腳。這能夠很好的防止輸入值過(guò)大而導(dǎo)致的地電位抬高和噪聲。地電位是地連接處在通過(guò)大電流毛刺時(shí)的電壓降。2)去耦,去耦,又稱解耦。從電路來(lái)說(shuō), 總是可以區(qū)分為驅(qū)動(dòng)的源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大, 驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電、放電, 才能完成信號(hào)的跳變,在上升沿比較陡峭的時(shí)候, 電流比較大, 這樣驅(qū)動(dòng)的電流就會(huì)吸收很大的電源電流,由于電路中的電感,電阻(特別是芯片管腳上的電感)會(huì)產(chǎn)生反彈,這種電流相對(duì)于正常情況來(lái)說(shuō)實(shí)際上就是一種噪聲,會(huì)影響前級(jí)的正常工作,這就是所謂的“耦合”。